専門アナリストや解体調査機関の定量的分析によれば、中国の先端AIチップ国産化は「善戦」とは程遠く、制裁前の蓄積在庫の枯渇、EUV不在による製造限界、HBM（高帯域幅メモリ）の供給難、および絶望的な電力効率の悪さという4重の不全に直面している。
1. TSMC製「ダイ（半導体素子）ストック」の枯渇と生産低下
専門解体機関であるTechInsightsの分析報告などで明示されている通り、これまでHuaweiのAIアクセラレータ（Ascend 910B/910C等）が一定数出荷できていた最大要因は、自国技術ではなく制裁強化前にTSMCで密かに迂回製造され蓄積されていたウェハ・ダイのストック（ダイバンク）に依存していたためだ。
• ストックの限界：2025年から2026年にかけてこのTSMC製ストックが完全に枯渇し、全量をSMIC（中芯国際）での製造へ移行せざるを得なくなった。
• 歩留まりの急落：SMICの製造ラインで全行程を賄うことで、初期出荷時に比べ歩留まり（良品率）と製品信頼性の低下が顕著になっている。
2. EUV不在に伴う「物理的限界」と製造コストの暴増
SMICはオランダASML製のEUV（極端紫外線）露光装置を所有しておらず、旧世代のDUV（深紫外線）露光装置によるSAQP（4重露光）などのマルチパターニングに頼っている。
• 製造コストと歩留まりの破綻：EUVを使わない多重露光は工程数が極めて多く、欠陥発生率が跳ね上がる。先端ノードを進めようとするほど1チップあたりの製造コストは莫大になり、商業的な量産として破綻しつつある。
• 拡大する構造的ギャップ：TSMCが2nmやA16（1.6nm）プロセスへと移行する中、EUVを欠く中国勢は物理的な限界に達しており、先端ノードでの世代間ギャップは縮まるどころか不可逆的に拡大している。
3. 最大のネック：HBM（高帯域幅メモリ）の決定的な不足
半導体専門調査会社SemiAnalysisの定量レポートによれば、中国のAIチップ増産を止めている最大の瓶首（ボトルネック）はGPU/NPUダイそのものではなく、パッケージングに必要なHBM（高帯域幅メモリ）の壊滅的な不足状態だ。
• 海外在庫依存：中国のAIインフラは、制裁前に韓国Samsungなどから駆け込み購入したHBM在庫（約1,300万スタック）に頼って繋ぎ止めてきた。
• 国内生産（CXMT等）の遅れ：中国国内のメモリ大手（CXMT等）によるHBM国産化ラインは、製造装置の制約や技術的ハードルから歩留まりが極めて低く、需要のわずか一部しか満たせていない。HBMの調達難が直接的なキャップとなり、中国全体のAIアクセラレータ出荷上限が物理的に抑え込まれている。
4. 4倍超の「電力ペナルティ」とソフトウェアエコシステムの壁
単体のチップ性能で西側に及ばないため、中国側は複数のダイを力づくで結合（チップレット構成）したり、巨大なシステム・クラスタ（CloudMatrix等）を構築して見かけ上の数値を引き上げようとしている。
• 圧倒的な電力非効率：SemiAnalysisの試算によると、Nvidiaの最新システム（NVL72等）と同等の総合計算出力をHuaweiの巨大構成で出そうとした場合、Nvidiaの約4.1倍もの電力（500kW超）を消費する。これによりデータセンターの受電設備や冷却インフラの観点から実用性に極めて強い制限がかかる。
• CANNソフトウェアの未熟さ：Nvidiaのデファクトスタンダードである「CUDA」に対し、Huaweiの「CANN」ソフトウェアは大規模言語モデルの分散学習時にエラーが多発するなど最適化が著しく遅れており、実効スループット（実際の計算処理能力）は理論値を大きく下回り。
結論
専門機関のデータを総合すると、「中国のAI半導体が西側の制裁を跳ね返して自立し善戦している」という見方は完全な過大評価であり、実態は「制裁前に確保した外貨・部材在庫と、莫大な国家資金による非効率な多重露光によって一時的に数字を作っているが、EUV・HBM・電力効率・ソフトウェアの壁に阻まれ、西側との実質的な性能・コスト差は急速に広がっている」のが冷徹な客観的事実だった。